Відмінності між версіями «Інжекція»
Ігор (обговорення • внесок) |
Ігор (обговорення • внесок) |
||
| Рядок 5: | Рядок 5: | ||
---- | ---- | ||
Інжекції носіїв заряду - збільшення концентрації носіїв заряду в напівпровіднику (діелектрику) в результаті переносу носіїв струмом з областей з підвищ. концентрацією (металліч. контактів, гетеропереходів) під дією зовн. електричні. поля. І. н. з. призводить до порушення термодінаміч. рівноваги електронної системи в напівпровіднику. Інжектованих носіїв зазвичай термалізуются за час, мале в порівнянні з часом життя носіїв, так що порушеним виявляється лише концентраційне рівновагу (див. Квазіуровні Фермі). Інжекція осн. носіїв відбувається, напр., при подачі зворотного зсуву на р-n-перехід, якщо у катода є шар, збагачений осн. носіями (див. Контактні явища в напівпровідниках). При цьому у зразку з'являється просторів, заряд, що перешкоджає подальшому надходженню носіїв зі збагаченого шару. Щільність j стаціонарного струму визначається умовою, що падіння напруги всередині зразка, обумовлене просторів, зарядом, врівноважується зовн. напругою U (закон Мотта): | Інжекції носіїв заряду - збільшення концентрації носіїв заряду в напівпровіднику (діелектрику) в результаті переносу носіїв струмом з областей з підвищ. концентрацією (металліч. контактів, гетеропереходів) під дією зовн. електричні. поля. І. н. з. призводить до порушення термодінаміч. рівноваги електронної системи в напівпровіднику. Інжектованих носіїв зазвичай термалізуются за час, мале в порівнянні з часом життя носіїв, так що порушеним виявляється лише концентраційне рівновагу (див. Квазіуровні Фермі). Інжекція осн. носіїв відбувається, напр., при подачі зворотного зсуву на р-n-перехід, якщо у катода є шар, збагачений осн. носіями (див. Контактні явища в напівпровідниках). При цьому у зразку з'являється просторів, заряд, що перешкоджає подальшому надходженню носіїв зі збагаченого шару. Щільність j стаціонарного струму визначається умовою, що падіння напруги всередині зразка, обумовлене просторів, зарядом, врівноважується зовн. напругою U (закон Мотта): | ||
| + | |||
[[Файл:008-23.jpg]] | [[Файл:008-23.jpg]] | ||
Версія за 09:24, 14 червня 2011
Інжекція - процес безперервного змішування двох потоків речовин і передачі енергії інжектуючого (робочого) потоку інжектуючому з метою його нагнітання в різноманітні апарати, резервуари і трубопроводи. Змішувані потоки можуть перебувати в газовій, паровій та рідкій фазах і бути рівнофазними, різнофазними і мінливої фазності (напр., пароводяні). Застосовуючі для інжекції струменеві апарати (насоси) називаються інжекторами.
Інжекції носіїв заряду
Інжекції носіїв заряду - збільшення концентрації носіїв заряду в напівпровіднику (діелектрику) в результаті переносу носіїв струмом з областей з підвищ. концентрацією (металліч. контактів, гетеропереходів) під дією зовн. електричні. поля. І. н. з. призводить до порушення термодінаміч. рівноваги електронної системи в напівпровіднику. Інжектованих носіїв зазвичай термалізуются за час, мале в порівнянні з часом життя носіїв, так що порушеним виявляється лише концентраційне рівновагу (див. Квазіуровні Фермі). Інжекція осн. носіїв відбувається, напр., при подачі зворотного зсуву на р-n-перехід, якщо у катода є шар, збагачений осн. носіями (див. Контактні явища в напівпровідниках). При цьому у зразку з'являється просторів, заряд, що перешкоджає подальшому надходженню носіїв зі збагаченого шару. Щільність j стаціонарного струму визначається умовою, що падіння напруги всередині зразка, обумовлене просторів, зарядом, врівноважується зовн. напругою U (закон Мотта):
